本發明提供了一種加工電路板上通孔的方法，包括：將通孔的圖形分別轉移在電路板兩面的金屬層上；在兩面的所述金屬層上分別蝕刻出與所述圖形一致的窗口；采用激光燒蝕所述窗口之間的介質層，形成所述通孔。通過本發明實施例中的步驟，可在電路板上加工出直徑較小的通孔，由于采用蝕刻和激光燒蝕，可加工出孔徑較細，金屬鉆頭無法加工的孔徑，且不會出現機械技工過程中的金屬鉆頭折斷的現象。

1.一種加工電路板上通孔的方法，其特征在于，包括：
將通孔的圖形分別轉移在電路板兩面的金屬層上，其中，
選擇厚度在25-30um之間的干膜轉移所述通孔的直徑在
75-120um之間的圖形；或者選擇厚度小于25um的干膜轉移
所述通孔的直徑小于75um的圖形；
在兩面的所述金屬層上分別蝕刻出與所述圖形一致的窗
口；
采用激光燒蝕所述窗口之間的介質層，形成所述通孔。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述兩面的金屬層
上所述圖形的直徑相同且同心。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述兩面的金屬層
上所述圖形的直徑不同，且同心、內含或內切。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述燒蝕的過程包
括：沿孔徑大的窗口向孔徑小的窗口方向燒蝕所述介質層，所
述燒蝕的能量在30mJ至50mJ之間。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述通孔的數量為
多個，所述圖形分別轉移的過程包括：
將各個所述通孔的大直徑圖形轉移在所述電路板的一面，
將各個所述通孔的小直徑圖形轉移在所述電路板的另一面。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通孔的孔徑小
于75um，還包括：
在底片上形成直徑比所述通孔的孔徑大0-10um的圖形，
所述底片的圖形用于所述轉移的過程。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖形的轉移包
括：
在所述電路板兩面的金屬層上貼覆干膜，采用底片將所述
圖形曝光在所述干膜上，再通過顯影蝕刻去干膜，將所述圖形
轉移到所述金屬層上；
所述顯影的速度在2-5m/min之間，蝕刻的速度在
3-5.8m/min之間。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述顯影和蝕刻過
程采用噴淋方式；所述噴淋的壓力在1.2-2.3kg/cm²之間。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：金屬化所
述通孔。