公開了一種用于井下工具的鉆頭的聚晶金剛石切割元件(50)。切割元件(50)包括基底(24)和結(jié)合至基底(24)的金剛石臺(tái)。金剛石臺(tái)包括金剛石填料，其中沿金剛石臺(tái)的至少一個(gè)工作表面將金剛石填料裝滿在至少一個(gè)浸出聚晶金剛石段(54)中。通過將金剛石臺(tái)定位在基底(24)上并且將金剛石臺(tái)結(jié)合到基底(24)上可以形成切割元件(50)，從而使聚晶金剛石段(54)沿著金剛石臺(tái)的至少一個(gè)工作表面定位。電火花等離子燒結(jié)或雙壓操作可用于將金剛石臺(tái)結(jié)合到基底(24)上。

1.一種用于井下工具的鉆頭的聚晶金剛石切割元件，包括：
基底；以及
結(jié)合至所述基底的金剛石臺(tái)，所述金剛石臺(tái)包括與小的聚晶金剛石材
料顆?；旌系慕饎偸牧?，所述小的聚晶金剛石材料顆粒沿所述金剛石臺(tái)
的至少一個(gè)工作表面基本上不含所有催化及其它金屬材料，
其中小的聚晶金剛石材料顆粒包括聚晶金剛石坯料，所述聚晶金剛石
坯料已經(jīng)受到第一高溫高壓擠壓操作，浸出其中基本上所有的金屬材料、
被粉碎且尺寸形成為精細(xì)的砂粒，并且與金剛石材料混合以形成金剛石
臺(tái)；以及
其中在罐中金剛石臺(tái)受到第二高溫高壓擠壓操作并接著沿著金剛石臺(tái)
的至少一個(gè)工作表面浸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，小的聚晶金剛
石材料顆粒在罐中被分層或者以其它方式隨金剛石材料而分散。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，小的聚晶金剛
石材料顆粒在被引入罐之前與金剛石材料混合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，小的聚晶金剛
石材料顆粒在聚晶金剛石材料被粉碎并且尺寸形成為精細(xì)的砂粒之前浸出
基本上所有的金屬材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，小的聚晶金剛
石材料顆粒在聚晶金剛石材料被粉碎并且尺寸形成為精細(xì)的砂粒之后浸出
基本上所有的金屬材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，小的聚晶金剛
石材料顆粒具有選定的尺寸和形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，所述基底包括
碳化鎢、鈷、鎳-納米-碳化鎢以及它們的組合中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，所述金剛石材
料包括金剛石原料、金剛石粉末以及它們的組合中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，小的聚晶金剛
石材料顆粒沿著頂部和周邊工作表面中的至少一者而定位。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，其中，第一和第二
高溫高壓擠壓操作具有1000至2500℃的溫度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚晶金剛石切割元件，還包括載體，所述
基底結(jié)合至所述載體。
12.一種用于制造聚晶金剛石切割元件的方法，所述聚晶金剛石切割
元件用于井下工具的鉆頭，所述方法包括：
通過在第一高溫高壓擠壓操作中燒結(jié)聚晶金剛石材料并且將聚晶金剛
石材料粉碎并且尺寸形成為精細(xì)的砂粒，生成小的聚晶金剛石顆粒；
從燒結(jié)的聚晶金剛石材料中去除基本上所有催化及其它金屬材料；
將聚晶金剛石顆粒與金剛石材料混合以形成金剛石臺(tái)；
將金剛石臺(tái)定位在一基底上；
通過包括第二高溫高壓擠壓操作的燒結(jié)工藝將所述金剛石臺(tái)結(jié)合到所
述基底上；以及
在結(jié)合之后，浸出所述金剛石臺(tái)的至少一個(gè)工作表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在罐中被分層或者以其它方
式隨金剛石材料分散小顆粒而使小的聚晶金剛石材料顆粒混合。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在小的聚晶金剛石材料顆粒
在被引入罐之前將小顆粒與金剛石材料混合而使小的聚晶金剛石材料顆粒
混合。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中去除的步驟包括在聚晶金剛石
材料被粉碎并且尺寸形成為精細(xì)的砂粒之前或之后浸出燒結(jié)的聚晶金剛石
材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中混合的步驟包括將具有選定尺
寸和形狀的聚晶金剛石顆粒與金剛石材料混合以形成金剛石臺(tái)。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括沿著頂部和周邊工作表面中
的至少一者或多者定位多個(gè)小的浸出的聚晶金剛石顆粒。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的聚晶金剛石切割元件，其中，第一和第二
高溫高壓擠壓操作具有1000至2500℃的溫度。