一種場發(fā)射光源器件，包括間隔設(shè)置的陽極板（110）和陰極板（120），以及將陽極板（110）和陰極板（120）固定成一體的絕緣支撐體（130）。陽極板（110）、陰極板（120）和絕緣支撐體（130）形成一真空密封的腔體。陽極板（110）包括以透明陶瓷為材質(zhì)的基層（112）和設(shè)置在基層（112）的一個表面上的陽極導(dǎo)電層（114）。陰極板（120）包括襯底和設(shè)置在襯底表面的陰極導(dǎo)電層。陽極導(dǎo)電層（114）與陰極板（120）相向設(shè)置。由于透明陶瓷具有導(dǎo)電性好，透光性高，耐電子沖擊性能穩(wěn)定和發(fā)光均勻的優(yōu)點，該場發(fā)射光源器件采用透明陶瓷作為陽極板基層，有效地提高電子束激發(fā)的效率，提高場發(fā)射光源器件的出光效率，最終提高其發(fā)光效率。還提供了一種場發(fā)射光源器件的制作方法。

1.一種場發(fā)射光源器件，包括間隔設(shè)置的陽極板和陰極板，以及將所述間
隔設(shè)置的陽極板和陰極板固定成一體的絕緣支撐體，所述陰極板包括襯底和設(shè)
置在所述襯底表面的陰極導(dǎo)電層，所述陽極板、陰極板和絕緣支撐體形成一真
空密封的腔體；其特征在于，所述陽極板包括以透明陶瓷為材質(zhì)的基層和設(shè)置
在所述基層的一個表面上的陽極導(dǎo)電層，所述陽極導(dǎo)電層與所述陰極板相向設(shè)
置；所述透明陶瓷為Y₂O₃:Eu透明陶瓷、Y₂O₂S:Eu透明陶瓷、Y₂SiO₅:Tb透明陶
瓷、Gd₂O₂S:Tb透明陶瓷、LaAlO₃:Tm透明陶瓷或LaGaO₃:Tm透明陶瓷；所述
透明陶瓷對可見光的透過率為50％以上。
2.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射光源器件，其特征在于，所述陽極導(dǎo)電層為
厚度為20nm～200μm的鋁薄膜層。
3.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射光源器件，其特征在于，所述陽極板為直徑
為100mm的球面殼體，所述陰極板設(shè)置在所述球面殼體內(nèi)腔的球心處。
4.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射光源器件，其特征在于，所述陽極板為弦長
為50mm的曲面殼體，所述陰極板的外形構(gòu)造與所述曲面殼體內(nèi)表面相一致，
所述陰極板與所述曲面殼體內(nèi)表面平行設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射光源器件，其特征在于，所述絕緣支撐體的
材質(zhì)為Al₂O₃或ZrO₂。
6.如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射光源器件，其特征在于，所述陰極導(dǎo)電層包
括銦錫氧化物薄膜層和碳納米管層，所述銦錫氧化物薄膜層設(shè)置在所述襯底表
面，所述碳納米管層設(shè)置在所述銦錫氧化物薄膜層表面。
7.一種權(quán)利要求1-6中任一項所述的場發(fā)射光源器件的制作方法，其特征
在于，包括如下步驟：
陽極板制備步驟：制備透明陶瓷材質(zhì)的基層，并所述基層的一個表面上設(shè)
置一層陽極導(dǎo)電層，制得陽極板；所述透明陶瓷為Y₂O₃:Eu透明陶瓷、Y₂O₂S:Eu
透明陶瓷、Y₂SiO₅:Tb透明陶瓷、Gd₂O₂S:Tb透明陶瓷、LaAlO₃:Tm透明陶瓷或
LaGaO₃:Tm透明陶瓷；所述透明陶瓷對可見光的透過率為50％以上；
陰極板制備步驟：在襯底的一個表面制備一層陰極導(dǎo)電層，制得所述的陰
極板；
將所述陰極板與所述陽極板間隔設(shè)置，且所述陰極板與所述陽極板上的陽
極導(dǎo)電層相向設(shè)置；隨后通過絕緣支撐體將所述陰極板和陽極板固定成一體，
并在所述陰極板、陽極板以及絕緣支撐體間形成一腔體；
真空密封所述陰極板、陽極板以及絕緣支撐體形成的腔體，制得所述場發(fā)
射光源器件。
8.如權(quán)利要求7所述的場發(fā)射光源器件的制作方法，其特征在于，
所述陽極板制備步驟中，還包括清洗過程：將透明陶瓷基材依次經(jīng)過丙酮、
無水乙醇、去離子水超聲和風(fēng)干處理；所述陽極導(dǎo)電層是通過磁控濺射技術(shù)或
蒸鍍技術(shù)沉積在所述基層表面上的；
所述陰極板制備步驟中，還包括清洗過程：將所述襯底依次經(jīng)過丙酮、無
水乙醇、去離子水超聲和風(fēng)干處理；所述陰極導(dǎo)電層是通過磁控濺射技術(shù)沉積
在所述襯底上的；
所述密封步驟中，密封所用的材質(zhì)為熔點為380～550℃的玻璃漿料。
9.如權(quán)利要求7或8所述的場發(fā)射光源器件的制作方法，其特征在于，所
述密封步驟中，還包括如下處理：所述真空密封過程中，在排氣管中放置消氣
劑。