本發(fā)明涉及的氣體供給系統(tǒng)，包括：設(shè)置于向半導(dǎo)體制造裝置供給氣體的氣體供給通路的氣體過濾器；和設(shè)置在所述氣體供給流路的比所述氣體過濾器的配設(shè)位置更靠下游側(cè)的位置，使所述氣體供給流路內(nèi)流通的氣體所包含的揮發(fā)性金屬成分液化并去除的金屬成分去除器。由此，在通過氣體供給流路向半導(dǎo)體制造裝置供給腐蝕性氣體時(shí)，防止通過氣體過濾器無法去除的揮發(fā)性金屬成分的混入。

1.一種氣體供給系統(tǒng)，其通過氣體供給流路向半導(dǎo)體制造裝置供
給預(yù)定的氣體，其特征在于，包括：
設(shè)置于所述氣體供給流路的氣體過濾器；和
設(shè)置在所述氣體供給流路的比所述氣體過濾器的配設(shè)位置更靠下
游側(cè)的位置，使所述氣體供給流路內(nèi)流通的氣體所包含的揮發(fā)性金屬
成分液化并去除的金屬成分去除器。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體供給系統(tǒng)，其特征在于：
所述金屬成分去除器包括：構(gòu)成所述氣體供給流路的一部分的氣
體流路；和使冷卻劑在該氣體流路的外側(cè)流通，從外側(cè)冷卻該氣體流
路的流路冷卻單元。
3.如權(quán)利要求2所述的氣體供給系統(tǒng)，其特征在于：
所述金屬成分去除器的流路冷卻單元，使所述冷卻劑在以卷繞所
述金屬成分去除器內(nèi)的氣體流路的外側(cè)的方式設(shè)置的線圈狀冷卻劑流
路內(nèi)流通。
4.如權(quán)利要求2所述的氣體供給系統(tǒng)，其特征在于：
所述金屬成分去除器內(nèi)的氣體流路鉛直地配設(shè)，所述氣體供給流
路內(nèi)流通的氣體，從所述氣體流路的下方的側(cè)部流入并從上方的側(cè)部
流出，并且所述氣體流路的下端開口，并與蓄液室連通。
5.如權(quán)利要求2所述的氣體供給系統(tǒng)，其特征在于：
所述金屬成分去除器內(nèi)的氣體流路，分成流入側(cè)流路和流出側(cè)流
路并分別鉛直地配設(shè)，
氣體從所述流入側(cè)流路的上方的側(cè)部流入，所述流入側(cè)流路的下
方與蓄液室連通，
所述流出側(cè)流路的下方與所述蓄液室連通，氣體從所述流出側(cè)流
路的上方的側(cè)部流出。
6.如權(quán)利要求5所述的氣體供給系統(tǒng)，其特征在于：
從所述氣體供給流路供給的氣體為氟類的腐蝕性氣體。
7.如權(quán)利要求6所述的氣體供給系統(tǒng)，其特征在于：
所述腐蝕性氣體為HF氣體、F₂氣體、ClF₃的任一種或包含這些的
混合氣體。
8.一種半導(dǎo)體制造裝置的氣體供給系統(tǒng)，其通過氣體供給流路向
半導(dǎo)體制造裝置供給預(yù)定的氣體，其特征在于，包括：
設(shè)置于所述氣體供給流路的氣體過濾器；和
設(shè)置在所述氣體供給流路的比所述氣體過濾器的配設(shè)位置更靠上
游側(cè)，用于添加氣體的添加氣體供給單元，該氣體使在所述氣體供給
流路內(nèi)流通的氣體所包含的揮發(fā)性金屬成分發(fā)生化學(xué)變化生成通過所
述氣體過濾器能夠捕捉的固體金屬化合物。
9.如權(quán)利要求8所述的氣體供給系統(tǒng)，其特征在于：
從所述氣體供給流路供給的氣體為氟類的腐蝕性氣體。
10.如權(quán)利要求9所述的氣體供給系統(tǒng)，其特征在于：
所述添加氣體為O₂氣體。