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一種印制電路鍍金層孔隙率測定方法

  • 專利類型:發(fā)明專利
  • 有效期:不限
  • 發(fā)布日期:2022-01-19
  • 技術(shù)成熟度:通過中試
交易價(jià)格: ¥面議
  • 法律狀態(tài)核實(shí)
  • 簽署交易協(xié)議
  • 代辦官方過戶
  • 交易成功

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  • 技術(shù)(專利)類型 發(fā)明專利
  • 申請?zhí)?專利號 CN200810044226.6 
  • 技術(shù)(專利)名稱 一種印制電路鍍金層孔隙率測定方法 
  • 項(xiàng)目單位 電子科技大學(xué)
  • 發(fā)明人 何為,趙麗,王守緒,何波,汪洋,林均秀,徐玉珊 
  • 行業(yè)類別
  • 技術(shù)成熟度 通過中試
  • 交易價(jià)格 ¥面議
  • 聯(lián)系人 吳綺玥
  • 發(fā)布時(shí)間 2022-01-19  
  • 01

    項(xiàng)目簡介

    本發(fā)明提供一種印制電路板鍍金層孔隙率的檢驗(yàn)方法,屬于化工技術(shù)領(lǐng)域,涉及印制電路板表面鍍金層的檢測,尤其適用于印制板導(dǎo)線及金手指鍍金層的孔隙率檢測。測試溶液主要成分為的鹽酸(HCl)、氯化鈉(NaCl)及滲透劑,在一定溫度、時(shí)間條件下使鍍金層不連續(xù)處產(chǎn)生明顯的腐蝕產(chǎn)物,利用帶刻度的透明網(wǎng)格材料和斜面體輔助觀測,對孔隙大小進(jìn)行加權(quán)處理,在顯微鏡下觀察計(jì)算孔隙率。本發(fā)明具有快速、簡便、準(zhǔn)確、安全的特點(diǎn),可滿足印制電路板生產(chǎn)過程中的表面品質(zhì)檢測要求。
    展開
  • 02

    說明書

    1.一種印制電路鍍金層孔隙率測定方法,其特征是,包括以下步驟:步驟1.配制檢測溶液:配制由HCl、NaCl、滲透劑混合而成的水溶液,各組分質(zhì)量百分含量為:HCl:2%~2.7%,NaCl:0.5~2.0%,滲透劑:0.02%~0.2%,其余為H2O;其中滲透劑是含有如下一種或一種以上表面活性劑的復(fù)配劑:脂肪醇聚氧乙烯(5~6)醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、烷基萘磺酸鈉、二丁基萘磺酸鈉和丁基萘磺酸鈉;步驟2.清洗待測樣品表面可能存在的油污,待測樣品需有裸露的鍍層,鍍層為金手指、接地銅皮或焊盤;步驟3.將經(jīng)表面除油處理后的待測樣品放入檢測溶液中,控制溶液溫度在21℃-24℃,靜置5~8分鐘后,取出待測樣品并除去待測樣品表面的水分;步驟4.將待測樣品放置于傾角tanα為0.15~0.25之間的斜面上,采用低倍光學(xué)顯微鏡觀測桿品表面的孔隙;總觀測區(qū)域不小于樣品總鍍層面積的50%;步驟5.計(jì)算孔隙率:表-1孔隙大小計(jì)算方法??孔隙尺寸
    ??計(jì)算孔隙個(gè)數(shù)
    ??最大直徑≤0.05mm
    ??0
    ??0.05mm<最大直徑<0.1mm
    ??1
    ??0.1mm≤最大直徑<0.2mm
    ??2

    ??最大直徑≥0.2mm

    ??5
    數(shù)出步驟4中所觀測面積內(nèi)的孔隙數(shù),計(jì)算孔隙率,即孔隙數(shù)/厘米2;孔隙計(jì)算按照表-1進(jìn)行。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印制電路鍍金層孔隙率測定方法,其特征是,所述步驟2清洗待測樣品表面可能存在的油污時(shí),采用乙醇作為清洗劑。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印制電路鍍金層孔隙率測定方法,其特征是,步驟3中所述除去待測樣品表面的水分的具體方法是采用自然晾干或烘干的辦法。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印制電路鍍金層孔隙率測定方法,其特征是,步驟3中所述除去待測桿品表面的水分的具體方法是采用吸水紙吸取樣品表面的水分的辦法。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印制電路鍍金層孔隙率測定方法,其特征是,步驟4中所述傾角tanα為0.15~0.25之間的斜面是利用具有相同傾角tanα的斜面體實(shí)現(xiàn)的。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印制電路鍍金層孔隙率測定方法,其特征是,步驟4中采用低倍光學(xué)顯微鏡觀測樣品表面的孔隙時(shí),采用線寬為0.1毫米、間距為1毫米的透明正方形網(wǎng)格材料安裝于低倍顯微鏡的目鏡下方以提高計(jì)算觀測面積內(nèi)的孔隙數(shù)的測量精度。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印制電路鍍金層孔隙率測定方法,其特征是,所述透明正方形網(wǎng)格材料采用透明膠片、透明紙張或透明玻璃制作。
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專利技術(shù)附圖

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