1.一種光刻設備的近場對準裝置，包括照明光源、工件臺、探針陣列、傳輸光纖、光
電探測器、對準信號處理模塊，從所述照明光源發出的光束，從所述工件臺背面，以大于臨
界角的角度照射置于所述工件臺上的基準板或硅片上的對準標記，所述探針陣列將收集到的
信息以光強的方式耦合進所述傳輸光纖，所述傳輸光纖將光強信號傳輸給光電探測器，所述
光電探測器將光強信號轉換為電信號并進行放大，最后傳輸給對準信號處理模塊進行信號處
理和對準位置的計算；其特征在于：所述探針陣列收集到的信息為在所述對準標記正面形成
的近場信息，所述近場信息為符合所述對準標記表面形貌分布的光強信息，所述對準裝置還包
括Z向控制單元，利用所述Z向控制單元調整探針陣列和硅片表面的距離，使所述距離處于
近場區域。
2.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述傳輸光纖與所述探針
陣列被形成為一體。
3.根據權利要求1或2所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，利用鏡架實現各組件
的固定和定位。
4.根據權利要求3所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列和硅片表面
之間的距離處于近場區域中，即在對準光源的一個波長范圍內。
5.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述照明光源為對硅片和
石英透過的單色光或窄帶光。
6.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述對準標記被形成于工
件臺基準板上或硅片上。
7.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述對準標記的線寬小于
照明光波長。
8.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列為一維陣列。
9.根據權利要求8所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列的探針數量
與對準標記的線條數量對應。
10.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列為二維陣列。
11.根據權利要求10所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針陣列的探針行
或列的數量與對準標記的線條數量相對應。
12.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，探針表面除尖端一定區域
通光口徑外，其他部分鍍覆金屬膜。
13.根據權利要求8-12中任意一個所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述探針
陣列通過化學腐蝕法或光刻方法制得。
14.根據權利要求1所述的光刻設備的近場對準裝置，其中，所述Z向控制單元包括石
英共振器、Z向控制器以及頻率發生器和電流測量裝置；所述頻率發生器向所述石英共振器
提供固定頻率，所述石英共振器隨著所述探針陣列的位置變化，其切變力隨之變化，發生振
幅改變，形成探測電流，并發送至所述電流測量裝置，所述電流測量裝置根據所述探測電流，
確定所述探針陣列和所述和硅片表面的距離，并控制所述Z向控制器調節所述距離。
15.一種利用權利要求1-14中任意一個所述的對準裝置進行對準的方法，包括以下步
驟：
步驟一、將硅片輸送至工件臺的相應位置；
步驟二、將硅片進行預對準，使其進入對準標記捕獲范圍；
步驟三、利用Z向控制器根據石英共振器反饋的信號，調整探針陣列與硅片標記面之間
的間距，使探針陣列進入近場探測區域；
步驟四、通過工件臺的運動，利用對準裝置對對準標記進行水平向掃描，在所述對準標
記正面形成近場信息，所述近場信息為符合所述對準標記表面形貌分布的光強信息；
步驟五、根據掃描得到的強度與位置關系的掃描信號，計算對準位置；
步驟六、根據計算得到的對準位置，將工件臺移動到相應位置，完成對準。
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