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多層探針組及其制造方法

  • 專利類型:發(fā)明專利
  • 有效期:不限
  • 發(fā)布日期:2021-06-28
  • 技術成熟度:詳情咨詢
交易價格: ¥面議
  • 法律狀態(tài)核實
  • 簽署交易協(xié)議
  • 代辦官方過戶
  • 交易成功

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  • 技術(專利)類型 發(fā)明專利
  • 申請?zhí)?專利號 CN200910134736.7 
  • 技術(專利)名稱 多層探針組及其制造方法 
  • 項目單位 旺矽科技股份有限公司
  • 發(fā)明人 陳志忠 
  • 行業(yè)類別
  • 技術成熟度 詳情咨詢
  • 交易價格 ¥面議
  • 聯(lián)系人 韓雨瀟
  • 發(fā)布時間 2021-06-28  
  • 01

    項目簡介

    本發(fā)明公開了一種提供電性測試用的多層探針組及其制造方法,是運用光刻工藝于一基板上制出多個懸臂探針,該多層探針組包含有:一絕緣強化層是設置于該基板上,并形成有至少二連通電路的開口;至少二導電件,分別設置于該絕緣強化層的開口中,且被絕緣強化層包覆與支撐;至少二懸臂探針,該各懸臂探針分別具有一梁構件及一針尖構件;這些梁構件分別與該導電件連接,且至少一梁構件的局部表面貼接撐靠于該絕緣強化層上,這些針尖構件連接于該梁構件上;使貼接撐靠于該絕緣強化層上的懸臂探針結構穩(wěn)定性較佳。
    展開
  • 02

    說明書

    1.一種多層探針組的制造方法,其特征在于,包含有以下步驟:
    (a)、制備一布設有電路的基板;
    (b)、于該基板的一表面上設置一第一絕緣強化層,且該第一絕緣強
    化層形成有至少二連通基板電路的第一絕緣強化層開口;
    (c)、于該第一絕緣強化層開口中分別設置一第一導電件及一第二導
    電件,使該第一及第二導電件與該基板電路連接;并于該基板未布設該第
    一絕緣強化層及非位于該第一絕緣強化層開口位置的該表面上,形成一第
    一犧牲層;
    (d)、于該第一絕緣強化層及該第一犧牲層的表面上設置一第二犧牲
    層,并將該第二犧牲層形成二分別連通該第一及第二導電件的第二犧牲層
    開口;
    (e)、于該第二犧牲層的開口中分別形成一具導電性的第三導電件及
    一第一梁構件,該第三導電件與該第二導電件連接,該第一梁構件與該第
    一導電件連接;
    (f)、去除該第二犧牲層;
    (g)、設置一第二絕緣強化層于該第一絕緣強化層上,并形成一位于
    該第一犧牲層上方的第二絕緣強化層開口;
    (h)、于該第二絕緣強化層開口內設置一第三犧牲層;
    (i)、再持續(xù)設置一具圖形化的第三絕緣強化層及一具圖形化的第四
    犧牲層,分別形成一第三絕緣強化層開口及一第四犧牲層開口,于該第三
    絕緣強化層開口內設置一具導電性的第四導電件,使該第四導電件與該第
    三導電件連接,于該第四犧牲層開口內設置一具導電性的導電材料,使該
    導電材料與該第一梁構件連接;
    (j)、持續(xù)設置一具圖形化的第四絕緣強化層及一具圖形化的第五犧
    牲層,分別形成一第四絕緣強化層開口及一第五犧牲層開口,于該第四絕
    緣強化層開口內設置一具導電性的第二梁構件,使該第二梁構件與該第四
    導電件連接,于該第五犧牲層開口內設置一具導電性的導電材料;
    (k)、連續(xù)地進行多層犧牲層的設置與圖形化以形成開口,并于該各
    開口設置導電材料以形成分別連接該第一及第二梁構件的針尖構件;
    (l)、去除所有的犧牲層,即構成上述多層探針組。
    2.依據(jù)權利要求1所述多層探針組的制造方法,其特征在于,所述
    第一及第二梁構件呈上、下完全重疊狀態(tài)。
    3.依據(jù)權利要求1所述多層探針組的制造方法,其特征在于,所述
    第一及第二梁構件呈上、下部分重疊狀態(tài)。
    4.依據(jù)權利要求2或3所述多層探針組的制造方法,其特征在于,
    所述連接該第一及第二梁構件的針尖構件位在一虛擬垂直于梁構件的直
    線位置上。
    5.依據(jù)權利要求2或3所述多層探針組的制造方法,其特征在于,
    所述連接該第一及第二梁構件的針尖構件交錯地位在二虛擬垂直于梁構
    件的直線位置上。
    6.依據(jù)權利要求1所述多層探針組的制造方法,其特征在于,所述
    第一、第二、第三或第四絕緣強化層是由光刻膠材料所制成。
    7.依據(jù)權利要求1所述多層探針組的制造方法,其特征在于,其中
    第一、第二、第三或第四絕緣強化層與第一、第二、第三、第四或第五犧
    牲層由光刻技術加以圖形化,以定義出開口。
    8.依據(jù)權利要求1所述多層探針組的制造方法,其特征在于,其中
    第一、第二、第三或第四絕緣強化層以涂布或壓膜貼附的方式設置。
    9.依據(jù)權利要求1所述多層探針組的制造方法,其特征在于,所述
    步驟(c)中,將該第一犧牲層、第一導電件、第二導電件與該第一絕緣
    強化層的表面加以平整化,以使上述四者的表面呈共一平面狀態(tài)。
    10.依據(jù)權利要求9所述多層探針組的制造方法,其特征在于,其中
    平整化的方式利用機械研磨、化學研磨、電化學加工或化學蝕刻方式。
    11.依據(jù)權利要求1所述多層探針組的制造方法,其特征在于,所述
    步驟(h)中,該第三犧牲層形成后,將第三犧牲層、第三導電件、第一
    梁構件與第二絕緣強化層加以平整化,使上述四者的表面呈共一平面狀
    態(tài)。
    展開

專利技術附圖

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